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今天是:2018年06月21日 星期四

活动公告: 

博士简介

  1.   姓名:何进  学历:博士后
  2.   地域:在京博士  专业:其他

何进天津大学电子工程本科毕业,分别从电子科技大学微电子与固体电子学硕士和博士毕业。 北京大学微电子所博士后。 2001-2005年美国伯克利加州大学电子与计算机工程系博士后和研究员。 2005回国任北京大学信息科学技术学院微电子系教授,博士生导师,建立纳太器件和电路研究室。2010年开始任职北京大学深圳系统芯片设计重点实验室室主任。 曾任南通大学和香港科技大学客座教授,中国科学院兼职研究员,日本广岛大学访问教授,UC BERKELEY EECS访问学者和研究员。 

    半导体芯片厂TSMC,华微电子,深爱半导体,方正微电子等的技术顾问;国际知名EDA公司Agilient, Silvaco, Proplus等的技术合作者。国家科技奖评审专家,教育部长江学者评审专家,国家自然科学基金面上和重大项目评审专家;北京,江苏,广东和深圳科技评审专家,华微电子(上市公司)独立董事。与国内清华大学,复旦大学,天津大学,西安电子科技大学,电子科技大学,中科院微电子所和微系统所,国外美国伯克利加州大学,美国中佛罗里达大学,亚利桑那州立大学,美国奥本大学,日本广岛大学,香港科技大学,香港中文大学,香港城市和理工大学等有过多项科研合作和学术交流。与深圳半导体和IC设计产业界,比如上市公司天马微电子,瑞声声学, 研详智能科技,华微电子等和非上市公司方正微电子,深爱半导体,超多维,海泰康微电子, 安派电子,芯成电子,电通集团,恩普医疗电子等,有广泛的产学研和技术开发关系。曾先后出访和学术交流于美国、日本、加拿大、澳大利亚、新加坡、韩国、台湾、香港、泰国、马来西亚、波兰、澳门等十多个国家和地区的大学和研究院所,并作学术邀请或技术邀请报告30多次。

 主要研究领域为微纳电子器件技术,半导体芯片技术和先进集成电路设计。先后参加或主持多个国家973和863项目, 自然科学面上基金和重点基金项目, 高等学校博士点基金项目, 国防预研项目, 部省产学研项目,深圳基础研究一般,重点和布局项目,重点实验室提升项目,重大科技攻关项目,深港创新圈项目,国际合作项目,美国SRC项目等50多项, 且均出色完成课题任务。 在纳米CMOS器件物理和模型、新器件结构、工艺技术和电路设计、电路模型和TCAD等方面的研究工作已发表论文400余篇,被SCI收录150余篇,EI收录200多篇, H因子24,国际引用或下载超过7000余次。 其中,期刊论文150多篇(国际期刊英文论文130多篇, 专业著名期刊超过100篇), 国内外会议宣读论文250余篇, 包括国际学术会议上作30多次特邀报告。 指导出站博士后7人,在站博士后2人,毕业博士生6人,硕士生25人。

申请中国发明专利34项, 获得授权20项, 6项专利正在与一些半导体制造公司和芯片设计公司进行co-license。申请美国发明专利1项。申请中国软件著作权12项,已获得授权12项。出版中文著作3部:“射频电路设计”(科学出版社,2007年,7月,唯一译著者)、“SYSTEM VERILOG硬件设计及建模”(科学出版社,2007年10月, 合作翻译作者)、“北京大学信息科学技术学科课程体系”(清华大学出版社,合著者) 出版英文专著“ Nanowire” Silicon-based nanowire MOSFETs: from process and device physics to simulation and modeling ” 一章(Intech press, 2011)、 英文专著“Semiconductor memory”“Phase change memory: modeling and simulation”一章(CRC Press, 2014)、英文专著“Plasmonics: Principles and Applications” 中“Application of surface plasmon polaritions in CMOS digital imaging”一章(Intech Press,2012)、英文专著“ Toward Quantum FinFET” 中 “ Modeling of FinFETs for CMOS circuit application”一章( Springer Press, 2013)。 出版技术手册两部: BSIM4.3.0 MOSFET model, user’s Manual和Manual of BSIM5,Version 1.0.

先后获得深圳市2014年和2013年自然科学二等奖(个人排名第一);深圳市2010年科技创新奖(高校和研究院所排名第一,个人排名第一);2007年IEEE 电子器件和固态电路国际会议(EDSSC’2007)优秀论文奖; 2005年北京大学第三批优秀博士后; 2003年中国科技部发布的2002年SCI论文收录电子学领域全国第一名; 2001年信息产业部"九五"国家重点科技攻关奖: “SOI新材料、新器件研究”; 2001年信息产业部"九五"国家重点科技攻关奖“高速CMOS/SOI电路研究”;2000年中国电子学会元件分会第二届江海杯“电子元件与材料”优秀论文三等奖;1999年中国电子学会元件分会第一届江海杯“电子元件与材料”优秀论文二等奖。

半导体器件,电路模拟和模型工程-ULTRA创立者。国际集成电路界工业标准CMOS模型BSIM4.3.0主要研发者,模型手册主要作者(BSIM4.3.0已经被国际半导体工业界广泛采用,促进了国际集成电路产业的发展)。BSIM5首席研究者,模型手册第一作者(BSIM5 在2004年被CMC选为下一代工业标准芯片仿真模型的四个备选者之一,国际主流集成电路模拟系统均支持BSIM5的电路模拟)。 国际主要半导体公司IBM, INTEL, AMD等采用和验证的BSIMDG模型主要研究人员之一,有关该项工作的成果被发表在IEEE T-ED 上的综述文章(IEEE TED-54, pp.131-141, 2007)称为“何氏模型”,是全世界四个典型代表。在北京大学发展的ULTRA-SOI在2008年5月被CMC选为SOI集成电路技术下一代工业标准芯片仿真模型的四个备选者之一, 发展的ULTRA-FinFET在20012年5月被CMC选为FinFET集成电路技术下一代工业标准芯片仿真模型的两个备选者之一,成为中国微电子为数不多的有国际影响力的成果。提出纳米CMOS参数提取新技术,被发表在Microelectronics Reliability (MER-42, pp.583-596, 2002)上有关阈值电压的综述文章称为“何氏方法”,为近年来11种典型方法之一 完成有世界水平的纳米CMOS器件完整表面势方程和解析解,研发了国际上有代表性的纳米MOSFET表面势模型。 在国际微电子学术界独创非传统CMOS器件及电路建模的载流子理论和方法,成功应用到场效应纳米器件中。 在微电子学术界和工程领域取得的系列成果享有国际声誉,领导的小组是目前纳米器件物理和电路模型研究最富活力的团队之一。入选2008-2009年度“Marquis Who's Who”名人录科学与技术分册,相关成就和事迹曾被中国国际广播电台,科学网,深圳特区报,人民日报海外版等媒体报道。

 

主要奖励:

(1) 深圳市2014年自然科学二等奖(全年全市一共5个自然科学奖):个人排名第一;

(2) 深圳市2013年自然科学二等奖(全年全市一共5个自然科学奖):个人排名第一;

(3) 深圳市2009年科技创新奖(高校科研单位排名第一),个人排名第一;

(4) 2005年12月被评为“第三批北京大学优秀博士后”;

(5) 国际重要期刊IEEE Transaction on Electron Devices 的2005-2012年Gold reviewer(全中国大陆地区仅仅8位);

(6) 2002年 SCI论文收录电子学领域全国第一名;

(7) 信息产业部科技进步奖: High speed CMOS/SOI circuit research, 2001( 张兴, 黄如, 何进, 于民, 等:  排名第3);

(8) 信息产业部科技进步奖:  Research of SOI new materials and new device, 2001(黄如, 张兴,于民, 何进等:排名第4);

(9) 2000年中国电子学会元件分会第二届江海杯“电子元件与材料”优秀论文三等奖;

(10) 1999年中国电子学会元件分会第一届江海杯“电子元件与材料”优秀论文二等奖。

学术任职:

国际期刊“ Recent patent in Engineering”和“Open nano science journal”编委员会成员;国际重要期刊IEEE Transaction on Electron Devices, IEEE Electron device letters, Solid-Sate Electronics, IEE Circuits, Devices and Systems, IEEE Circuits & Devices MagazinePhysical B, Chinese Physics Letter等的文章评审人;国际研究项目"Nano-Device Modeling Initiative"主要成员;国际会议ISQED, ASQED, ICSICT, EDSSC的TPC和EDA评审委员会成员; 国内中国科学E,电子学报,半导体学报等的文章评审人;国内期刊“微纳技术”常务理事;教育部留学回国人员启动基金评审专家, 春辉计划“VLSI”技术专项评审专家;国家自然科学基金面上,重点和重大项目评审专家,教育部长江学者评审专家,国家科技奖励评审专家,北京大学深圳系统集成芯片设计重点实验室主任。

专业代表性高水平论文和专著:

[1] Siu-Fung Leung, Qianpeng Zhang,Mohammad Mahdi Tavakoli, Jin He, Xiaoliang Mo,and Zhiyong Fan, Progress and Design Concerns of Nanostructured Solar Energy Harvesting Devices,Small,12, 2536-2548(2016). 

[2] Aashir Waleed, Qianpeng Zhang, Mohammad Mahdi Tavakoli, Siu-Fung Leung, Leilei Gu, Jin He, Xiaoping Mo and Zhiyong Fan, "Performance Improvement of Solution-processed CdS/CdTe Solar Cells with a Thin Compact TiO2 Buffer Layer", Sci. Bull., 2016, 60(1)86-91:http://link.springer.com/article/10.1007/s11434-015-0963-0

[3] Mohammad Mahdi Tavakoli, Leilei Gu, Yuan Gao, Claas Reckmeier, Jin He, Andrey L. Rogach, Yan Yao, Zhiyong Fan,  "Fabrication of efficient planar perovskite solar cells using a one-step chemical vapor deposition method"  Nature Scientific Reports, SREP-15-08034A, 2015

[4] M.M.Tavakoli, Siu-Fung Leung, Kwong-Hoi Tsui, Qianpeng Zhang, Jin He, Yan Yao, Dongdong Li, and Zhiyong Fan,  "Highly Efficient Flexible Perovskite Solar Cell with Anti-reflection and Self-cleaning Nanostructures ". ACS NanoDOI 10.1021/acsnano.5b04284, 2015。

[5] Yuanjing Lin, Qingfeng Lin, Xue Liu, Yuan Gao, Jin He, Wenli Wang, Zhiyong Fan, “A Highly Controllable Electrochemical Anodization Process to Fabricate Porous Anodic Aluminum Oxide Membranes”, Nanoscale Research Letters, 10:495,2015. 

[6] Hao Wang, Hongyu He, Sheng Chang, Yue Hu, Jin He, QJ Huang, Gaofeng Wang,  "A Novel Barrier Controlled Tunnel FET". IEEE Electronics Device Letters EDL-35No.7, pp.798-800, July, 2014.

[7]  Lin Li, Lining Zhang, Kit Chun Kwong, Jin He, Mansun Chan, “Phase-Change Memory with Multi-Fin Thin-Film-Transistor Driver Technology."  IEEE Electronics Device Letters, EDL-33Vol. 33, No. 3, , pp. 405-407,March,2012.

[8] Lining Zhang, Lin Li, Jin He, Mansun Chan, “ Modeling Short Channel Effect of Elliptic Gate-All-Round MOSET by Effective Radius” . IEEE Electronics Device Letters, EDL-32No.8, pp.1188-1191, 2011.

[9]  Min Shi, Jin He, Lining Zhang, Chenyue Ma, Zingye Zhou, Haijun Lou, Hao Zhuang, Ruonan Wang, Yongliang Li, Yong Ma, Wen Wu, Wenping Wang, and Mansun Chan, “Zero Mask Contact Fuse for One Time Programmable Memory in Standard CMOS Processes”, IEEE Electronic Device LettersEDL-32No.7, pp.955-957, 2011.

[10] Ricky M. Y. Ng, Tao Wang, Feng Liu, Xuan Zuo, Jin He, and Mansun Chan, “Vertically Stacked Silicon Nanowire Transistors Fabricated by Inductive Plasma Etching and Stress-Limited Oxidation”pp. 520-522, IEEE Electron Device Letters, EDL-30, No.5, 2009.

[11] Jin He, Xuemei Xi, Mansun Chan, Senior Member, Kanyu Cao, Student Member, Chenming Hu, Yingxue Li, Xing Zhang, Ru Huang, and Yangyuan Wang, “Normalized Mutual Integral Difference Method to Extract Threshold Voltage of MOSFETs. IEEE Electron Device Letters, Vol. 23, No. 7, pp.428-430, JULY 2002

[12] Jin He, Xing Zhang, Yangyuan Wang, and Ru Huang,New Method for Extraction of MOSFET Parameters. IEEE Electron Device Letters, Vol. 22, pp.397-399, no. 12, DECEMBER, 2001.

[13] Yue Hu, Hao Wang, Caixia Du, Miaomiao Ma, Mansun Chan, Jin He , and Gaofeng Wang, “A High-Voltage (> 600 V) N-Island LDMOS with Step-Doped Drift Region in Partial SOI Technology” IEEE Transactions on Electron Devices, TED-63, No.2, Dec., 2016, PP. 744-750.

[14] Hongyu He, Jin HeHao Wang, Wanling Deng, Liu Yan, and Xueren Zheng, "Trapped-Charge-Effect-Based Above-Threshold Current Expressions for Amorphous Silicon Thin-Film Transistors Consistent With Pao-Sah Model”。IEEE Transactions on Electron Devices, TED-61, No.11, pp. 3744-3750, Nov., 2014.

[15] Jin He, Cheng Wang, Haijun Lou ,  Ruonan Wang , Lin Li, Hailang Liang,  Wei Wu , Yun Ye,  Ma Yutao, Qin Chen, “A Compact CMOS Compatible Oxide Antifuse with Polysilicon Diode Driver.”  IEEE Transactions on Electron Devices, TED-59, No. 9, September, pp. 2539-2541, 2012. 

[16] Xingye Zhou, Feng Liu, Lining Zhang, Cheng Wang, Jin He, Xing Zhang , and Mansun Chan, “New Unified Scale Length for Four-Terminal Double-Gate MOSFETs.” IEEE Transactions on Electron Devices, TED-59, No.7, pp. 1997-1999, July, 2012.

[17]  Haijun Lou, Lining Zhang, Yunxi Zhu, Xinnan Lin, Jin He, Mansun Chan, “Performance Enhancement of Junctionless Nanowire Transistors With Dual-Material-Gate.” IEEE Transactions on Electron Devices, TED-59, No.7, pp. 1829-1836, July, 2012.

[18]  Lining Zhang, Jin He, Xinnan Lin, Mansun Chan, "An Analytical Capacitance Model for Double-Gate Tunnel-FETs" , IEEE Transactions on Electron Devices, TED-59, No. 12, December 2012, pp. 3217-3223.

[19]  Lin Li Jin He Mansun Chan "One-Time-Programmable Memory in LTPS TFT Technology with Metal Induced Lateral Crystallization", IEEE Transactions on Electron Devices , vol. 59, no. 1, January 2012, pp. 145-150.  

[20] Hongyu He, Xueren Zheng, Jin He and Mansun Chan, “Polynomial-Effective-Channel-Mobility-Based Above-Threshold Current Model for Undoped Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors Consistent with Pao-Sah Model”, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.59, No.11, pp. 3130-3132, Nov.., 2012.

[21] Jiale Huang, Minhao Zhu, Shengqi Yang, Pallav Gupta, Wei Zhang, Steven M.Rubin, Gilda Garret, and Jin He, “A physical design tool for carbon nanotube field effect transistor circuits”, ACM J. Emerg. Technol. Comput. Syst., Vol.8, No.3, pp.25:1-20, Aug. 2012.

[22] Kit Chun Kwong, Jin He, Mansun Chan, "Phase Change Memory RESET Model Based on Detailed Cell Cooling Profile".  IEEE Transactions on Electron Devices, TED-58, No.10, pp. 3625-3628, 2011 .

[23]  Lining Zhang:,Jin HeHaijun Lou Mansun Chan"Uniaxial Strain Effect on Electron Ballistic Transport in Gate-All-Around Silicon Nanowire MOSFET", IEEE Transactions on Electron Devices, TED-58, No.11, pp. 3829-3836, 2011.

[24] Jian Zhang, Lining Zhang, Jin He, and Mansun Chan, “A noncharge-sheet channel potential and drain current model for dynamic-depletion silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors”, Journal of Applied Physics, Vol. 107, No.5, 054507, 2010.

[25]  Zhifeng Yan, Jingxuan Zhu, Yinglei Wang, Xinnan Lin, Jin He, “Numerical study on heterodyne terahertz detection in field effect transistor”, Optics Express, Vol.18, No.8, pp.7782-7789, 2010.

[26]  Lining Zhang, Jin He, Yue Fu, Feng Liu, Yan Song, Jian Zhang , and Xing Zhang, “An Analytic Model for Nanowire MOSFETs with Ge/Si Core/Shell Structure IEEE Transactions on Electron Devices, TED-55, No. 11, Nov., 2008.

[27]  Feng Liu, Jin He, Jian Zhang, Yu Chen, and Mansun Chan, “  A non-charge-sheet analytic model for symmetric double-gate MOSEFTs with smooth transition between partially- and fully- depleted operation modes”, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 55, No. 12, Dec., 2008

[28]  Feng Liu, Jin He, Lining Zhang, Jian Zhang, Jinghua Hu, Chenyue Ma, and Mansun Chan, “A charge-based model for long-channel cylindrical surrounding-gate MOSFETs from intrinsic channel to heavily doped body ”, IEEE Transactions on Electron Devices, TED-55, No. 38, Aug., 2008.

[29]  Feng Liu, Jin He, Yue Fu, Jinhua Hu, Wei Bian, Yan Song, Xing Zhang, Mansun Chan, "Generic Carrier-Based Core Model for Undoped Four-Terminal Double Gate MOSFETs Valid for Symmetric, Asymmetric and Independent Gate operation modes," IEEE Transactions on Electron Devices, TED-55, No. 3, March., 2008

[30]  Jie Yang, Jin He, Feng Liu, Lining Zhang,  Feilong Liu, and Xing Zhang, “A compact model of silicon-based nanowire MOSFETs for circuit simulation and design .” IEEE Transactions on Electron Devices, TED-55, No. 11, Nov., 2008.

[31]  Jin He, Feng Liu, Jian Zhang, Jie Feng, Jinhua Hu, Shengqi Yang,“ A carrier-based approach for compact modeling of the long-channel undoped symmetric double-gate MOSFETs.” IEEE Transactions on Electron Devices, TED-54, No.5, pp.1203-1209, May 2007

[32]  Jin He, Wei Bian, Yandong Tao, Shenqi Yang, and Xu Tang, “Analytic Carrier-Based Charge and Capacitance Model for Long Channel Undoped Surrounding-Gate MOSFETs.” IEEE Transaction on Electron Devices, TED-54, No.6, pp.1478-1785, June, 2007

[33]  Bian Wei, Jin He, Yadong Tao, Ming Fang, Jie Feng, “ An analytic potential-based model for undoepd nanoscale surrounding-gate MOSFETs,” IEEE Transactions on Electron Devices, TED-54, No. 9, Sept., 2007

[34]  Y. Wang, C. Xu, J. Li, J. He and M. Chan, “A CMOS Image Sensor Utilizing Opacity of Nano-Metallic Particles for DNA Detection.”  IEEE Transactions on Electron Devices, TED-54, pp.1549-1553, June 2007

[35]  Jin He, Wei Bian, Yadong Tao, Feng Liu, Yan Song, Jinhua Hu, Xing Zhang, Wen Wu, Ting Wang, and Mansun Chan,"Linear cofactor difference extrema of MOSFET’s drain current and application to parameter Extraction." IEEE Transactions on Electron Devices, TED-54, No.4, pp.874-878, April 2007

[36]  Jin He, Mansun Chan, Xing Zhang, Yangyuan Wang, "An Analytic Model to Account for Quantum–Mechanical Effects of MOSFETs Using a Parabolic Potential Well Approximation." IEEE Transactions on Electron Devices, TED-53, No.9, pp.2082-2090, Sept., 2006

[37]  Jin He, Mansun Chan, Xing Zhang, Yangyuan Wang, "A Physics-Based Analytic Solution to the MOSFET Surface Potential From Accumulation to Strong-Inversion Region." IEEE Transactions on Electron Devices, TED-53, No.9, pp.2008-2016, Sept., 2006

[38]  Alain Chun Keung Chan, Tsz-Yin Man, Jin He, Kam-Hung Yuen, Wai-Kit Lee, and Mansun Chan, “SOI Flash Memory Scaling Limit and Design Consideration Based on 2-D Analytical Modeling.” IEEE Transactions On Electron Devices, TED-51, No.12, pp.2054-2060, Dec., 2004

[39]  Jin He, Xing Zhang, Ru Huang, and Yangyuan Wang, “Linear Cofactor Difference Method of MOSFET Subthreshold Characteristics for Extracting Interface Traps Induced by Gate Oxide Stress Test.IEEE Transactions on Electron Devices, TED-49, No.2, pp.331-334, FEBRUARY 2002

[40]  Jin He, Yangyuan Wang, Xing Zhang, Xuemei Xi, Mansun Chan, Ru Huang, and Chenming Hu, “A Simple Method for Optimization of 6H-SiC Punch-Through Junctions Used in Both Unipolar and Bipolar Power Devices.” IEEE Transactions on Electron Devices, TED-49, No. 5, pp.933-937, MAY 2002

[41]  Jin He, Xuemei Xi, Mansun Chan, Chenming Hu, Yingxue Li, Xing Zhang, Ru Huang, and Yangyuan Wang, Equivalent Junction Method to Predict 3-D Effect of Curved-Abrupt p-n Junctions. IEEE Transactions on Electron Devices, TED-49, No. 7, pp.1322-1325, July, 2002.

[42]  Jin He, Xing Zhang, and Yangyuan Wang, “Equivalent Doping Profile Transformation: A Semi-Empirical Analytical Method for Predicting Breakdown Characteristics of an Approximate Single-Diffused Parallel-Plane Junction.” IEEE Transactions on Electron Devices, TED-48, No.12, pp.2763-2769, Dec., 2001

[43] Lining Zhang, Jin He and Mansun Chan, “A Compact Model for Double-Gate Tunneling Field-Effect-Transistors and Its Implications on Circuit Behaviors”, 2012 IEEE International Electron Device Meeting (IEDM), Dec. 10-13, 2012, San Francisco, USA。

[44] 英文专著:“nanowire implantations and applications”“Silicon-based nanowire MOSFETs: from process and device physics to simulation and modeling”一章, Intech 出版社,2012年7月:国际下载量到2015年9月已经突破5000次。

[45] 英文专著:“Plasmonics: Principles and Applications” 中“Application of surface plasmon polaritions in CMOS digital imaging”一章Intech 出版社,2012年7月。

[46] 英文专著: “Toward Quantum FinFET” 中 “ Modeling of FinFETs for CMOS circuit application”一章, SPRINGER出版社,2013年。

[47] 英文专著:“Semiconductor memory”“Phase change memory: modeling and simulation”一章3CRC Press出版社,2014年。

[48] BSIM4.3.0 Manual: Xuemei Xi, Mohan Dunga,Jin He,Weidong Liu, Kangyu M.Cao, Xiaodong Jin, Jeff J.Ou, Mansun Chan, Ali.M.Nakeijad and Chenming HuBSIM4.3.0 MOSFET model, user’s Manual,  Electron Research Laboratory (ERL), Department of Electronic Engineering and Computer Sciences, University of California,  Berkeley, CA, USA. Copyright@2003 The Regents of University of California, All Rights Reserved;

[49] BSIM5 Manual: Jin He, Xuemei Xi, Mohan Dunga, Babak Heydari, Wan Hui,  C.H.Lin,  Mansun Chan, Ali.M.Nakeijad and Chenming HuManual of BSIM5,Version 1.0,  Electron Research Laboratory (ERL), Department of Electronic Engineering and Computer Sciences, University of California,  Berkeley, CA, USA. Copyright@2004 The Regents of University of California, All Rights Reserved.

[50] 何进,译著“射频电路设计”, 科学出版社,2007年7月出版.

[51] 余敦山,韩临,何进等,译著“ SYSTEM VERILOG硬件设计及建模”,科学出版社,2007年10月.

[52] 何进,甘学温,等等, 北京大学信息科学技术学科课程体系”(清华大学出版社,合著者) 2009年12月。

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