时间: 2019-05-27  李进     6

热烈欢迎贵大大数据学院院长谢泉博士加入全球贵州博士网络大家庭!

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    谢泉:博士后、博士、教授、博士生导师、硕士生导师,贵州省首届百层次人才,贵州省省管专家、贵州省优秀青年科技人才,贵州大学大数据与信息工程学院电子科学与技术学科带头人,贵州省先进光电子材料与技术创新团队负责人,贵州省电子科学与通信工程人才基地负责人,贵州省教育厅电子科学与技术特色重点学科负责人,中国中小企业融资项目评审咨询专家,科技部863课题评审专家,科技部国际合作课题评审专家,国家自然科学基金同行评议专家,教育部电子信息类专业教学指导委员会委员,教育部电子信息类专业教学指导委员会教材编写委员会委员,中国仪器仪表学会高级会员,贵州省科技厅新材料专家组成员,贵州省科学决策学会常务理事,电子元件与材料期刊理事,国际期刊Phys. B 等多家期刊特约审稿人,民进贵州省委员会副主任委员,贵州省第十二届全国人大代表,贵州大学大数据与信息工程学院院长,贵州大学新型光电子材料与技术研究所所长,民进贵州大学基层委员会主任,贵州大学留学归国人员联谊会会长,贵州省留学归国人员联谊会常务理事,贵州省第八届青年联合会副主席,民进贵州省委第五、六届副主委,贵州省第九、十届政协委员。

研究方向:环境友好先进光电子材料与器件、传感器与传感系统、材料模拟与



硕士:湖南大学物理科学与微电子学院理论物理专业

博士后: 中国科学院上海光学精密机械研究所材料科学与工程博士后流动站

1993,3—1998,6 湖南大学物理科学与微电子学院工作

其中:

士后流动站工,

2004,2— 现在 贵州大学大数据与信息工程学院电子科学与技术系工作

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2. 2014年获贵州省首批优秀博士生导师

3.2012年获贵州省科技进步三等奖

4.2009年贵州省首届青年科技创新人才奖

5.2009年获贵州大学优秀科研特等奖

6.2007年获贵州省五一劳动奖章

7. 2007年获第2届中国归国侨眷“科技人才创新”奖

8. 2006年获全国各民主党派、工商联、无党派人士为全面建设小康社会作贡

献全国先进个人

9. 2006年获为全面建设小康社会作贡献民进中央全国先进个人

10. 2006年获贵州省第2批优秀科技工作者

11. 2005年获民进中央全国优秀会员

12. 2007年获贵州大学逾十年教龄“教书育人风范奖”

13. 参加完成的科研课题获2001年国家自然科学二等奖 等


主持的科研项目:

[2] 贵州省特色重点学科建设-电子科学与技术,贵州省教育厅,2014.10-2017.10,20万,主持。

[4] 贵州省电子科学与通信工程技术人才基地,贵州省委组织部贵州省第四批人才基地项目,2013.12-2016.12,100万,主持;

[6] 环境友好半导体光电子材料Mg2Si红外传感器的开发研究,贵州省教育厅125重大专项,合同号:黔教合重大专项字[2012]003,2012.10-2015.12,80万,主持;

[8] 硅化物LED光电子器件开发,贵州省科技攻关项目,合同号:黔科合GY字[2011]3015,2011.6-2014.5,35万,主持;

[10] 新型环境友好半导体材料β-FeSi2及其光电子器件的研究,科技部国际合作专项项目,合同号:2008DFA52210, 2008.1-2010.12,80万,主持;

[12] 环境半导体材料Ca2Si的制备与应用研究,国家自然科学基金项目,合同号:60766002, 2008.1-2010.12, 20万,主持;

[14] 新型环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与关键技术研究,贵州省优秀科技教育人才省长专项基金,合同号:黔省专合字(2005)365号,2006.1-2008.12,6万,主持;

[16] 新型环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与应用研究,贵州省科技厅国际科技合作项目,合同号: 黔科合G(2005)400102,2005.1-2007.12,4万,主持;

[18] 掺杂(Mn、Cr)环境半导体材料β-FeSi2的研究,贵州省优秀青年科技人才培养计划,合同号: 黔科合人20050528,2005.1-2008.12,21万,主持;

[20] 大尺寸纳米薄膜环境半导体材料β-FeSi2的制备、光电子特性与应用研究,贵州省留学人员科技项目,合同号:黔人项目(2004)03;2005.1-2006.12,3万,主持;

[22] 环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与关键技术,教育部博士点专项科研基金,合同号:20050657003, 2005.1-2006.12,6万,主持;

[24] 掺杂(Mn、Cr)环境半导体材料β-FeSi2的研究,教育部科学技术重点项目,合同号:206133,2005.1-2007.12,2万,主持;

[1]磁控溅射制备环境半导体b-FeSi2及其物性研究,贵阳市科技局大学生创业科技项目,合同号:2007筑科计合同字第6-3号,2007.12-2008.12,1.2万,04级博士生张晋敏主持;

[3]磁控溅射制备环境半导体Ca2Si及其性质研究,贵州省科技厅自然科学基金项目,合同号:黔科合No.(2007)2177,2007-2010,05级博士生杨吟野主持

[5]Mg2Si电子结构及光学性质的研究及其应用,贵阳市科技计划项目,合同号:筑科计(2007)6号),2008.01-2009.12,2万,06级博士生陈茜主持;

[7]磁控溅射制备BaSi2薄膜材料及其光电特性研究,贵州省科技厅自然科学基金项目,合同号:黔科合J字[2010]2002号,2010.6-2012.12,06级博士生杨子义主持,

[9]环境半导体材料Mg2Si的磁控溅射制备及其性质研究,贵州省科技厅自然科学基金项目,合同号:黔科合J字[2009]2059号,2009.6-2012.5,4万,07级博士生肖清泉主持;

[11]液态Si凝固过程中团簇结构形成和演变特性的研究,贵州省研究生创新基金,合同号:省研理工2010010,2009.10月-2011.4,09级博士生高廷红主持;

[13]新型环境友好半导体材料Ru2Si3的电子结构及光学性质的研究,贵州大学研究生创新基金,合同号:校研理工2009010,2008.11-2010.2,07级硕士生崔冬萌主持;

发表论文:

[2]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Xie Quan. Molecular dynamics simulation of nanocrystal formation and deformation behavior of Ti3Al alloy[J]. Computational Materials Science, 2015,98: 245-251 (SCI、EI)

[4]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Qin Xin-Mao, Xie Quan. Network connectivity in icosahedral medium-range order of metallic glass: A molecular dynamics simulation[J]. Journal of Non-crystalline Solids, 2014,406: 31-36 (SCI、EI)

[6]Xie Zuocheng, Gao Tinghong, Guo Xiaotian, et al. Glass formation and icosahedral medium-range order in liquid Ti-Al alloys[J]. Computational Materials Science, 2014: 502–508 SCI(SCI、EI)

[8]Xie Zuocheng, Gao Tinghong, Guo Xiaotian, Qin Xinmao, Xie Quan. Evolution of icosahedral clusters during the rapid solidification of liquid TiAl alloy[J]. Physica B: Condensed Matter, 2014,440 :130–137. (SCI)

[10]YU Hong, XIE Quan, CHEN Qian. Effect of Mg-Film Thickness on the Formation of Semiconductor Mg2Si Films Prepared by Resistive Thermal Evaporation Method[J]. Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science Edition), 2014, 29(3): 612-616. (SCI)

[12]Chen Qian, Xie Quan, Xiao Qingquan, Zhang Jinmin. The influence of lattice deformation on the elastic properties of Mg2Si[J]. Science China-Physics, Mechanics and Astronomy, 2013,56(4): 701-705. (SCI)

[14]MA Rui, XIE Quan, HUANG Jin, GUO Xiaotian, YAN Wanjun. First Principles Study on Elastic Constants, Ferromagnetism and Electronic Structures of Alloyed Fe3Si Doped with Mo, Ti or Nb [J]. Chin.Phys. Lett. 2013, 30(12): 127104. (SCI)

[16]Yu Hong, Xie Quan, Chen Qian. Effects of annealing on the formation of Mg2Si film prepared by resistive thermal evaporation method[J]. Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2013, 24(10):3768-3775. (SCI/ EI).

[18]YAN WanJun, GAO TingHong, GUO XiaoTian, QIN YunXiang, XIE Quan. Structural Properties of Liquid SiC during Rapid Solidification[J]. The Scientific World Journal. 2013, 2013: 7pages. (SCI)

[20]Yan Wanjun, Gao Tinghong, Guo, Xiaotian, Xie, Quan. Structural characteristics of liquid SiC during quenching process[J]. Physica Status Solidi (C), 2013, 10(12):1777-1780. (EI)

[22]Xiong Xicheng, Xie Quan, Yan Wanjun. Relationship between the thickness of β-FeSi2 thin film and the solar photo wavelength[J]. Chinese Journal of Mechanical Engineering, 2012, 25(2): 315-319. (SCI)

[24]Zhang Jinmin, Xie Quan, Liang Yan, et al. Thermal process of iron silicides prepared by Magnetron sputtering[J]. Physics Procedia, 2011,11: 122-125. (EI)

[26]Yang Ziyi, Hao Zhengtong, Xie Quan. Effects of Heat Treatment on Growth of BaSi2 Film On Si (111) Substrates[A]. Materials Science Forum, 2011:1273-1276. (EI)

[28]Xiao Qingquan, Xie Quan, Zhao Kejie, et al. Effect of Sputtering Pressure on the Formation of Semiconducting Mg2Si Films[J]. Materials Science Forum, 2011,663-665: 166-169. (EI)

[30]Xiao Qingquan, Xie Quan, Shen Xiangqian, et al. Effects of magnesium film thickness and annealing temperature on formation of Mg2Si films on silicon (111) substrate deposited by magnetron sputtering[J]. Applied Surface Science, 2011,257(17): 7800-7804. (SCI、EI)

[32]Gao Ran, Xie Quan. Study on the electronic structure and optical properties of the environmentally friendly semiconductor Ca3Si4[J]. Physics Procedia, 2011,11: 99-102. (EI)

[34]Zhang Jinmin, Xie Quan, Borjanović V, et al. Preparation of the Kondo Insulators FeSi by Magnetron Sputtering[J]. Materials Science Forum, 2010,663-665: 1129-1132. (EI)

[36]Chen Qian, Xie Quan, Zhao Fengjuan, et al. First-principles calculations of electronic structure and optical properties of strained Mg2Si[J]. Chinese Science Bulletin, 2010,55(21): 2236-2242. (SCI)

[38]Zhou Shiyun, Xie Quan, Yan Wanjun, et al. First-principle study on the electronic structure of stressed CrSi2[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(1): 76-81. (SCI)

[40]Yang Yinye, Xie Quan, Wang Yi, et al. Directly Grown Ca2Si Films on Si(100) Substrate at Various Radio-Frequency Sputtering Power[J]. Journal Of Test And Measurement Technology, 2009,23(5): 402-406. (EI)

[42]Yang Yinye, Xie Quan. A single phase semiconducting Ca-silicide film growth by sputtering conditions, annealing temperature and annealing time[J]. Journal of Materials Science, 2009,44(14): 3877-3882. (SCI、EI)

[44]Zhang Jinmin, Xie Quan, Zeng Wuxian, et al. Effects of Annealing on Atomic Interdiffusion and Microstructures in Fe/Si Systems[J]. Journal of Semiconductors, 2007,28(12): 1888-1894. (EI)

[46]张宝晖, 谢泉, 肖清泉, 等. 溅射时间对于Mg2Si/Si 异质结的影响[J]. 电子元件与材料, 2015,34(7): 46-49

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[52]范梦慧, 蔡勋明, 岑伟富, 等. 单层 MoS1. 89X0. 11 电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 激光与光电子学进展, 2015,52(5): 163-170

[54]闫万珺, 张忠政, 郭笑天, 等. 第一性原理计算V-Al共掺杂CrSi2的光电特性[J]. 光学学报, 2014,34(4): 416002-416007 (EI)

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[60]李强, 谢泉, 马瑞, 等. 厚膜电阻的研究现状及发展趋势[J]. 材料导报, 2014,28(7): 31-37 (中文核心)

[62]肖清泉,谢泉,沈向前,张晋敏,陈茜.Si衬底上低真空热处理制备单一相Mg2Si半导体薄膜[J].功能材料,2013, 44(4): 585-589. (EI)

[64]余志强, 谢泉. 功率参数对光电薄膜Mg2Si择优取向的影响[J]. 压电与声光, 2013,35(3): 438--440

[66]崔冬萌, 贾锐, 谢泉, 等. Ru0.9375Mn0.0625Si3的电子结构及光学性质研究[J]. 稀有金属材料与工程, 2012,41(10): 1775-1779. (SCI、EI)

[68]郑旭, 张晋敏,熊锡成,张立敏,赵清壮,谢泉. β-FeSi2异质结的制备及性质研究[J]. 功能材料,2012, 43(11): 1069-1071.(EI)

[70]沈向前, 谢泉, 肖清泉, 等. 磁控溅射靶材刻蚀特性的模拟研究[J]. 真空, 2012,49(1): 65-69

[72]王霞, 李宗宝, 谢泉, 等. (Fe, N) 双掺杂 MgF2电子结构和光学性质的第一性原理研究[J]. 东北师大学报, 2012,44(3): 101-106. (中文核心)

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[86]杨子义, 郝正同, 谢泉. 正交相BaSi2粉晶X射线衍射谱的计算[J]. 材料导报, 2010,24(2): 72-74.

[88]熊锡成, 谢泉, 张晋敏, 等. 基于 β-FeSi2 薄膜的异质结研究现状[J]. 材料导报, 2010,24(17): 15-20.

[90]罗倩, 谢泉, 王朋乔, 等. 固液反应球磨技术的研究进展[J]. 纳米科技, 2010,(5): 29-33.

[92]李旭珍, 谢泉, 陈茜, 等. 应力下OsSi2 电子结构和光学特性研究[J]. 科学通报, 2010,55(9): 746-751. (SCI、EI)

[94]郝正同, 谢泉, 杨子义. BaSi2 晶体结构及 X 射线衍射谱的研究[J]. 功能材料, 2010,41(10): 1816-1819. (EI)

[96]高廷红, 谢泉, 朱长银, 等. 冷速对液态Ca7Mg3合金快速凝固过程中团簇结构的影响[J]. 功能材料, 2010,41: 393-396. (EI)

[98]陈站, 张晋敏, 朱培强, 等. 金属间化合物Fe3Si的性质研究[J]. 功能材料, 2010: 1-4.

[100]周士芸, 谢泉, 闫万珺, 等. 锰掺杂二硅化铬电子结构和光学性质的第一性原理计算[J]. 光学学报, 2009,29(10): 2848-2853. (EI)

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[108]高廷红, 刘让苏, 周丽丽, 等. 液态 Ca7Mg3 合金快速凝固过程中团簇结构的形成特性[J]. 物理化学学报, 2009,25(10): 2093-2100. (SCI、EI)

[110]崔冬萌, 谢泉, 陈茜, 等. Ru2Si3 电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 中国科学: G 辑, 2009,39(10): 1431-1438.

[112]张晋敏, 谢泉, 余平, 等. 激光扫描磁控溅射Fe/Si膜直接形成α-FeSi2[J]. 功能材料, 2008,39(7): 1087-1090. (EI)

[114]张晋敏, 谢泉, 梁艳, 等. Fe/Si 薄膜中硅化物的形成和氧化[J]. 材料研究学报, 2008,22(3): 297-302. (EI)

[116]肖清泉, 谢泉, 杨吟野, 等. 环境半导体材料Ca2Si的电子结构研究[J]. 海南师范大学学报, 2008,21(2): 148-152.

[118]崔冬萌, 任雪勇, 谢泉, 等. 环境友好半导体 Ca2Si 晶体生长及其性能研究[J]. 吉林大学学报: 信息科学版, 2008,26(5): 459-464.

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[122]杨创华, 谢泉, 赵凤娟, 等. Ca2Si电子结构和光学性质的研究[J]. 功能材料, 2007,38(A10): 4124-4128

[124]闫万珺, 谢泉, 杨创华, 等. Fe0. 875Mn0. 125Si2 的几何结构与电子结构的第一性原理研究[J]. 功能材料, 2007,38(A01): 376-378.

[126]任雪勇, 谢泉, 杨吟野, 等. 溅射功率对Ca2Si薄膜性质的影响[J]. 功能材料, 2007,38(A04): 1519-1521.

[128]金石声, 朱林山, 苟富均, 等. 低能 He+, Ar+, Xe+ 轰击 SiC 的蒙特卡诺模拟[J]. 功能材料, 2007,38(10): 1590-1593. (EI)

[130]曾武贤, 谢泉, 梁艳, 等. 不同溅射气压对β-FeSi2形成的影响[J]. 功能材料, 2007,38(A01): 367-369.

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3、谢泉,肖清泉,余宏,陈茜,张晋敏. 一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺. 国家发明授权专利号:ZL 2012 1 0455881.7. 授权时间:2015年3月11日.

5、谢泉,廖杨芳,杨云良,肖清泉,张宝晖,梁枫,王善兰,吴宏仙,张晋敏,陈茜,谢晶,范梦慧,黄晋,章竞予,一种发光二极管,实用新型专利,证书号:ZL 2015 2 0521746.7,授权日:2015年11月4日

7、 谢泉;陈侃;肖淸泉;徐志勇;张忠民;郭笑天;庞雪;邵鹏;陈茜;高廷红;一种杀虫灯,实用新型专利,证书号:ZL 2015 2 0098848.2,授权日:2015年10月7日

<p font-size:14px;white-space:normal;background-color:#ffffff;"="" style="white-space: normal; padding: 0px; margin-top: 0px; margin-bottom: 0px; position: inherit; line-height: 35px; font-family: 宋体, serif; font-size: 14px; color: rgb(11, 11, 11);">8、谢泉,廖杨芳,吴宏仙,房迪,王善兰,刘小军,梁枫,肖清泉,张晋敏,陈茜,马瑞,谢晶,范梦慧,黄晋,章竞予,一种智能车位锁,实用新型专利,证书号:ZL 2015 2 1119854.8,授权日:2016年5月25日



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